| 產(chǎn)品參數(shù) |
| 品牌 | Sinton Instrument |
| 規(guī)格 | WCT-120 |
| 加工定制 | 否 |
| 商品編號(hào)(bn) | WCT-120 |
| 分類(cat_id) | 少子壽命測(cè)試儀 |
| 測(cè)量原理 | QSSPC（準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)） |
| 少子壽命測(cè)量范圍 | 100 ns-10 ms |
| 測(cè)試模式 | QSSPC，瞬態(tài)，壽命歸一化分析 |
| 電阻率測(cè)量范圍 | 3–600Ohms/s |
| 注入范圍 | 1013-1016cm-3 |
| 感測(cè)器范圍 | 直徑40-mm |
| 測(cè)量樣品規(guī)格 | 標(biāo)準(zhǔn)直徑 | 40–210 mm （或更小尺寸） |
| 硅片厚度范圍 | 10–2000 μm； |
| 可測(cè)硅片范圍 | 單晶、多晶硅片 |
| 可售賣地 | 全國(guó) |
| 型號(hào) | WCT-120 | |
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美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了獨(dú)特的測(cè)量和分析技術(shù)，包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測(cè)量方法？伸`敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開電路電壓(對(duì)照明)曲線，與最后的I-V曲線是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過程的每個(gè)階段。
美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了獨(dú)特的測(cè)量和分析技術(shù)，包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法？伸`敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在大于20的超高效率太陽(yáng)能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過程中是一種被廣泛選用的必備檢測(cè)工具。這種QSSPC測(cè)量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類似光照IV曲線的開路電壓曲線，可以結(jié)合最后的IV曲線對(duì)電池制作過程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。
主要應(yīng)用：分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝
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其它應(yīng)用：
檢測(cè)原始硅片的性能
測(cè)試過程硅片的重金屬污染狀況
評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞
用得到的類似IV的開壓曲線來評(píng)價(jià)生產(chǎn)過程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。
主要特點(diǎn)：
只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測(cè)試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。
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