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少子壽命測(cè)量?jī)xBCT-400
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測(cè)量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。

BCT-400測(cè)量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測(cè)量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.

因?yàn)樯僮訅勖鳛楹饬可L(zhǎng)和缺陷含量的的最敏感的技術(shù)參數(shù)，這個(gè)工具直接獲得長(zhǎng)硅的質(zhì)量參數(shù)。

作為最易于使用的測(cè)量工具－－BLS，只需要有直徑150mm大小的平面。如果只是測(cè)量平面樣品的話，請(qǐng)選擇BCT-400。

產(chǎn)品簡(jiǎn)述：

1.用途（高頻光電導(dǎo)）

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊

體形無嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體

內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

2.設(shè)備組成

2.1光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1μｓ

紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A



Sinton 少子壽命測(cè)量?jī)x，BCT-400測(cè)試硅錠，BLS-I測(cè)試硅棒，Sinton X-閃光燈頭，Sinton X5D閃光燈頭，Sinton X閃光燈座。

Sinton BCT-400少子壽命測(cè)量?jī)x



BCT-400測(cè)量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測(cè)量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測(cè)量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。



Sinton BLS-I少子壽命測(cè)量?jī)x

BLS-I測(cè)量系統(tǒng)用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊 體形無嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體 內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源

BCT-400 設(shè)備將為光伏客戶生產(chǎn)高質(zhì)量太陽能級(jí) 單晶硅片提供有力的質(zhì)量保證手段。