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賽福5000VDC 100uF高壓脈沖儲能充退磁機薄膜電容能夠在較長時間內充電，而在較短時間內放電，從而形成一個很大的脈沖功率。脈沖功率的獲取是靠已充電的脈沖電容器組，通過主電抗器短時振蕩放電獲得的，而脈沖電容器組是在試驗前由功率不大的充電裝置，用較長的時間充電，振蕩放電為數(shù)十毫秒，從而大大增加了試驗功率與電源功率之比，改變了經(jīng)濟效率。

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主要特點：

·功耗低，適宜于大功率、大電流、高耐壓、高浪涌應用；

·具有較好的容量和體積性能比

·隨溫度變化小，使用時間加長；

·反峰電壓可達較高；

·高儲能,耐高脈沖電流能力；

·自恢復特性好；

·低電感,低ESR；

·外殼材料為不銹鋼或冷軋板、安裝方便 。

主要產(chǎn)品參數(shù)：

·容量范圍：C=100μF～6000μF；

·容量偏差：一般±5，根據(jù)要求可以定制；

·額定電壓：Un=1KV～5KV；

·等效串聯(lián)電阻：ESR≤5mΩ

·反峰電壓可達80以上；

·充放電次數(shù)：可達2，000，000次；

·損耗角正切：tgδ≤0.002（100Hz）；

·使用環(huán)境溫度寬：-40℃～ 75℃；

·使用標準：JB/T8168 或客戶要求。

該電容器應用于充磁機、退磁機，激光電源，儲能焊接機等；直流高壓設備、整流濾波裝置振蕩回路、

連續(xù)脈沖裝置，沖擊電壓發(fā)生器、沖擊電流發(fā)生器、沖擊分壓器及其他非連續(xù)脈沖裝置。

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?主要產(chǎn)品規(guī)格：?

產(chǎn)品型號

電壓（KV）

容量（μF）

MFO(D)1K001007

1.0

1000

MFO(D)1K002007

1.0

2000

MFO(D)1K005007

1.0

5000

MFO(D)1K205006

1.2

500

MFO(D)1K201007

1.2

1000

MFO(D)1K202007

1.2

2000

MFO(D)1K505006

1.5

500

MFO(D)1K501007

1.5

1000

MFO(D)1K501507

1.5

1500

MFO(D)1K602006

1.6

200

MFO(D)1K605006

1.6

500

MFO(D)1K601007

1.6

1000

MFO(D)1K601507

1.6

1500

MFO(D)2K002006

2.0

200

MFO(D)2K005006

2.0

500

MFO(D)2K001007

2.0

1000

MFO(D)2K205006

2.2

500

MFO(D)2K201007

2.2

1000

MFO(D)2K502006

2.5

200

MFO(D)2K505006

2.5

500

MFO(D)3K002006

3.0

200

MFO(D)3K005006

3.0

500

MFO(D)4K002006

4.0

200

MFO(D)4K005006

4.0

500

MFO(D)4K502006

4.5

200

MFO(D)4K505006

4.5

500

MFO(D)5K002006

5.0

200

MFO(D)5K005006

5.0

500

以上數(shù)據(jù)僅供參考，根據(jù)用戶要求，我們可以設計、制造其它規(guī)格要求的脈沖電容器。

公司擁有大型高真空鍍膜機6臺、智能化分切機18臺、自動化卷繞機8臺、真空油處理系統(tǒng)、真空高壓測試臺、交流測試臺等設備，建立了電容器用金屬化薄膜和薄膜電容器生產(chǎn)線。

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