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2英寸氮化鎵晶體，無(wú)摻雜GaN單晶拋光晶片，寬禁帶半導(dǎo)體材料

	價(jià)格：8000.00 元(人民幣)	產(chǎn)地：江蘇無(wú)錫
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：江蘇無(wú)錫
	上架時(shí)間：2023-09-11 20:58:56	瀏覽量：34
	江陰皓睿光電新材料有限公司
	經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)加工	公司類(lèi)型：私營(yíng)有限責(zé)任公司
	所屬行業(yè)：光電子器件	主要客戶(hù)：科研院所
	在線(xiàn)咨詢(xún)

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:吳明博 (先生)	手機(jī):13961650381
電話(huà):	傳真:
郵箱:derry@helioswafer.com	地址:江蘇省無(wú)錫市江陰市果園路12號(hào)

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	皓睿光電
尺寸	2in
晶向	0001
摻雜	硅摻無(wú)摻雜
拋光	雙拋
數(shù)量	25片/盒
封裝	GN0001
批號(hào)	GN0001
可售賣(mài)地	全國(guó)
材質(zhì)	氮化鎵晶體
型號(hào)	GN0001

2英寸氮化鎵晶體（無(wú)摻）規(guī)格書(shū)

材質(zhì)：氮化鎵晶體
直徑：50.8 ± 0.3 mm
厚度：400-500 um
表面取向： (0001) Ga face
摻雜類(lèi)型：UID 非故意摻雜
電阻率：≤0.2 ohm-cm
拋光：雙面拋光
粗糙度Ra包裝：?jiǎn)纹邪b

氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場(chǎng)，使得器件導(dǎo)通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。

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