產(chǎn)品參數(shù) | 品牌 | TI | 封裝 | VSONP8 | 批號(hào) | 21 | 數(shù)量 | 2500 | 制造商 | Texas Instruments | 產(chǎn)品種類 | MOSFET | RoHS | 是 | 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT | 封裝 / 箱體 | VSONP-8 | 通道數(shù)量 | 1 Channel | 晶體管極性 | N-Channel | Vds-漏源極擊穿電壓 | 30 V | Id-連續(xù)漏極電流 | 60 A | Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 | 3.5 mOhms | Vgs - 柵極-源極電壓 | 20 V | Vgs th-柵源極閾值電壓 | 1 V | Qg-柵極電荷 | 54 nC | 最小工作溫度 | - 55 C | 最大工作溫度 | 150 C | Pd-功率耗散 | 83 W | 配置 | Single | 通道模式 | Enhancement | 高度 | 1 mm | 長(zhǎng)度 | 6 mm | 系列 | CSD17581Q5A | 晶體管類型 | 1 N-Channel | 寬度 | 4.9 mm | 正向跨導(dǎo) - 最小值 | 85 S | 下降時(shí)間 | 10 ns | 上升時(shí)間 | 21 ns | 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 25 ns | 典型接通延遲時(shí)間 | 12 ns | 單位重量 | 84.400 mg | 可售賣地 | 全國(guó) | 型號(hào) | CSD17581Q5A | |        
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