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輻射探測器-面探測器
面探測器主要有三種類型：高分辨半導體芯片、平板探測器和圖像增強器。半導體芯片又分為CCD 和CMOS。CCD 對X 射線不敏感，表面還要覆蓋一層閃爍體將X 射線轉換成CCD 敏感的可見光。平板探測器和圖像增強器本質上也需要內部的閃爍體先將X 射線轉換成這些器件敏感波段的可見光。
半導體芯片具有最小的像素尺寸和最大的探測單元數(shù)，像素尺寸可小到10 微米左右，探測單元數(shù)量取決于硅單晶的最大尺寸，一般直徑在50mm 以上。因為探測單元很小，信號幅度也很小，為了增大測量信號可以將若干探測單元合并。為了擴大有效探測器面積可以用透鏡或光纖將它們光學耦合到大面積的閃爍體上。用光纖耦合的方法理論上可以把探測器的有效面積在一個方向上延長到任意需要的長度。使用光學耦合的技術還可以使這些半導體器件遠離X 射線束的直接輻照，避免輻照損傷。
用半導體芯片也可以組成線探測器陣列，每個探測單元對應的閃爍體之間沒有隔離或者在許多探測單元上覆蓋一整條閃爍體，具有面探測器的基本特征，除了像素尺寸小的優(yōu)點以外，其性能無法與分立探測器相比。圖像增強器是一種傳統(tǒng)的面探測器，是一種真空器件。名義上的像素尺寸＜100μm，直徑152～457mm(6～18in)。讀出速度可達15～30 幀/s，是讀出速度最快的面探測器。由于圖像增強過程中的統(tǒng)計漲落產生的固有噪聲，圖像質量比較差，一般射線照相靈敏度僅7～8%，在應用計算機進行數(shù)據(jù)疊加的情況下，射線照相靈敏度可以提高到2%以上。另外的缺點就是易碎和有圖像扭曲。