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F3SJ-E0305N25
使用選項(xiàng)板可擴(kuò)展較少點(diǎn)數(shù)，使用擴(kuò)展單元最多可擴(kuò)展24點(diǎn)。
溫度控制功能可通過溫度輸入單元和PID指令的組合，實(shí)現(xiàn)溫度控制。
CP1W-TS004的1個單元熱電偶輸入為最多12點(diǎn)
CP1W-TS003的2點(diǎn)為溫度傳感器/模擬輸入兼用，使用1個單元即可構(gòu)成溫度傳感器輸入和模擬輸入。
模擬輸入位移傳感器 壓力傳感器變頻器 閥門模擬輸出RS-232C加熱器 SSR溫度傳感器CP1W-TS003
CH1：溫度傳感器輸入
CH2：溫度傳感器輸入
CH3：溫度傳感器/模擬輸入兼用
CH4：溫度傳感器/模擬輸入兼用
模擬傳感器 溫度傳感器使用可選設(shè)備，進(jìn)一步拓展應(yīng)用適用性
可擴(kuò)展1個單元的串行選項(xiàng)板或Ethernet選項(xiàng)板。(N30/40/60、NA20 CPU單元)
最多可安裝3個擴(kuò)展單元。(30/40/60、NA20 CPU單元)
選項(xiàng)板RS-232C選項(xiàng)板CP1W-CIF01RS-422A/485選項(xiàng)板CP1W-CIF11(最長傳輸距離50m)RS-422A/485選項(xiàng)板(絕緣型)CP1W-CIF12(最長傳輸距離500m)Ethernet選項(xiàng)板[標(biāo)題]CP1W-CIF41需為Ver.2.0以上的版本。
N30/40/60、NA20 CPU單元N30/40/60、NA20 CPU單元Ethernet通信功能模擬輸入選項(xiàng)板CP1W-ADB21?CPU單元Ver1.2以上適用
模擬輸出選項(xiàng)板CP1W-DAB21V?CPU單元Ver1.2以上適用
模擬輸入輸出選項(xiàng)板CP1W-MAB221?CPU單元Ver1.2以上適用
http://www.jdzj.com/p2/2015-11-27/3378394.html
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F3SJ-E0305N25
● 端子連接
接線請使用與所加電壓、通電電流相適的電線尺寸。請使用容量60W以下的烙鐵，在5秒以內(nèi)進(jìn)行焊接。如在不完全狀態(tài)下使用焊接，可能會導(dǎo)致過熱、燒壞。如超過60W或5秒以上長時間加熱會使開
關(guān)特性劣化。
● 操作
? 請在容許操作頻率或操作速度范圍內(nèi)使用。
1. 操作速度極度滯后時，接點(diǎn)切換將處于不穩(wěn)定狀態(tài)，會造成接觸故障，引起熔化。
2. 操作速度極快時，沖擊性動作將造成破損。此外，頻率較高時，接點(diǎn)切換將喪失隨動性。允許的額定操作速度和頻率表示開關(guān)的操作可靠性。開關(guān)的壽命是由指定的操作速度確定的。壽命因操作
速度和頻率而異 (即使在允許范圍內(nèi))。[標(biāo)題]為了確定某個開關(guān)型號在特定應(yīng)用中的壽命，最好在實(shí)際條件下使用該型號的樣品，以進(jìn)行適當(dāng)?shù)膲勖鼫y試。
? 確保驅(qū)動桿行程不超過過行程(OT)。必須將操作行程設(shè)置為額定OT值的70～100%。
安裝場所
? 請不要在易燃性氣體、爆炸性氣體等環(huán)境中單獨(dú)使用開關(guān)。開合時產(chǎn)生的電弧和熱量等可能導(dǎo)致著火或爆炸。
? 開關(guān)不是防水密封結(jié)構(gòu)。因此在油或水噴濺、飛散或有塵埃附著的地方，請用保護(hù)蓋來防止直接飛沫。
? 請將開關(guān)安裝在不會直接接觸到切屑或塵埃的位置。必須保證驅(qū)動桿和開關(guān)本體上不會堆積切削屑和泥狀物質(zhì)。
? 請不要在有熱水 (60°C以上)的地方和水蒸氣中使用。
? 請不要在指定的溫度和大氣條件之外使用開關(guān)。[標(biāo)題]各機(jī)種允許的環(huán)境溫度不同。 (請參見本目錄中的規(guī)格。)如果有急劇的溫度變化，熱沖擊會導(dǎo)致開關(guān)松動，造成故障。
? 操作人員不小心將開關(guān)安裝在易發(fā)生誤動作或事故的地方時，請加裝外罩。
? 開關(guān)受到連續(xù)的振動和沖擊時，產(chǎn)生的磨損粉末可能導(dǎo)致接點(diǎn)接觸不良和動作失常、耐久性下降等問題。過大的振動和沖擊可能導(dǎo)致接點(diǎn)誤動作或損壞。因此請將開關(guān)安裝在不會受到振動和沖擊
的位置，以及不會發(fā)生共振的方向上。
? 使用銀系接點(diǎn)時如果長期處于低頻率使用或者微小負(fù)載使用狀態(tài)，接點(diǎn)表面生成的硫化膜不會被破壞，導(dǎo)致接點(diǎn)接觸不良。[標(biāo)題]因此請使用帶鍍金接點(diǎn)的微小負(fù)載開關(guān)。
? 請不要在硫化氣體(H 2 S， SO 2 )、氨氣(NH 3 )、硝酸氣體(HNO 3 )、氯氣(Cl 2 )等惡性氣體和高溫高濕環(huán)境中使用開關(guān)，以免發(fā)生接點(diǎn)接觸不良和腐蝕引起的破損等功能障礙。
? 開關(guān)包含接點(diǎn)。如果在存在硅氣體的環(huán)境中使用開關(guān)，則電弧能量會使得氧化硅 (SiO 2 ) 堆積在接點(diǎn)上，導(dǎo)致接觸不良。開關(guān)周圍有硅油、硅填充劑、硅電線等硅制品時，請通過接點(diǎn)保護(hù)電路
來抑制電弧并移走產(chǎn)生硅氣體的源頭。
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