關(guān)于哈默納科光刻工藝諧波減速機CSG-20-80-2UH
概述：
下面以襯底上金屬連接的刻蝕為例講解光刻過程。
首先，通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層僅數(shù)納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光(一般是紫外線)后可以被特定溶液(顯影液)溶解。使特 定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進行選擇性照射(曝光)。然后使用前面提到的顯影液，溶解掉被照射的區(qū)域，這樣，光掩模上的圖形就呈現(xiàn)在光刻膠上。通常還將 通過烘干措施，改善剩余部分光刻膠的一些性質(zhì)。
上述步驟完成后，就可以對襯底進行選擇性的刻蝕或離子注入過程，未被溶解的光刻膠將保護襯底在這些過程中不被改變。
刻蝕或離子注入完成后，將進行光刻的最后一步，即將光刻膠去除，以方便進行半導(dǎo)體器件制造的其他步驟。通常，半導(dǎo)體器件制造整個過程中，會進行很多次光刻流程。生產(chǎn)復(fù)雜集成電路的工藝過程中可能需要進行多達50步光刻，而生產(chǎn)薄膜所需的光刻次數(shù)會少一些。
