IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 集電極、發(fā)射極間電壓（符號：VCES）：柵極、發(fā)射極間短路時的集電極，發(fā)射極間的電壓。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 柵極發(fā)極間電壓（符號：VGES ）：集電極、發(fā)射極間短路時的柵極，發(fā)射極間電壓。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 集電極電流（符號：IC ）：集電極所允許的直流電流。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 耗散功率（符號：PC）：單個IGBT所允許的耗散功率。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 結溫（符號：Tj）：元件連續(xù)工作時芯片溫廈。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 關斷電流（符號：ICES ）：柵極、發(fā)射極間短路，在集電極、發(fā)射極間加上認定的電壓時的集電極電流。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 漏電流（符號：IGES ）：集電極、發(fā)射極間短路，在柵極、集電極間加上認定的電壓時的柵極漏電流。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 飽和壓降（符號：V CE（sat） ）：在認定的集電極電流和柵極電壓的情況下，集電極、發(fā)射極間的電壓。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 輸入電容（符號：Clss ）：集電極、發(fā)射極間處于交流短路狀態(tài)，在柵極、發(fā)射極間及集電極、發(fā)射極間加上認定電壓時，柵極、發(fā)射極間的電容。