日韓SiC半導(dǎo)體產(chǎn)能加速擴(kuò)張
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的產(chǎn)能擴(kuò)張正在加速。日本半導(dǎo)體廠商Rohm上周宣布，它已經(jīng)在福岡千谷完成了只使用sic芯片的晶圓廠的建設(shè)，并開(kāi)始投資設(shè)備。該計(jì)劃的目標(biāo)是在2021年安裝設(shè)備，并在2022年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。
SiC半導(dǎo)體的禁帶寬度是現(xiàn)有Si半導(dǎo)體的3倍以上，可以承受10倍高的電壓。SiC半導(dǎo)體開(kāi)始被安裝在電動(dòng)汽車逆變器、太陽(yáng)能逆變器和工業(yè)設(shè)備中。
媒體還報(bào)道稱，韓國(guó)硅廠選擇SiC半導(dǎo)體作為其新的核心業(yè)務(wù)。這一決定似乎與LG集團(tuán)最近加速的汽車電子業(yè)務(wù)擴(kuò)張有關(guān)。據(jù)預(yù)測(cè)，韓國(guó)SiC芯片設(shè)計(jì)市場(chǎng)的規(guī)模將隨著大型企業(yè)的進(jìn)入而擴(kuò)大，而這一市場(chǎng)目前主要由中小企業(yè)占據(jù)。
目前，SIC半導(dǎo)體主要的跨國(guó)公司包括意法半導(dǎo)體、英飛凌和瑞薩�；诳焖匍_(kāi)關(guān)與SIC半導(dǎo)體的混合解決方案，英飛凌近年來(lái)已生產(chǎn)出數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的混合模塊，并被客戶安裝到太陽(yáng)能及UPS等應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中。
聯(lián)合SiC推出了一款基于其第四代SiC半導(dǎo)體平臺(tái)(而不是現(xiàn)有的650V產(chǎn)品)的750V產(chǎn)品，這款產(chǎn)品很可能被用于汽車市場(chǎng)。與第三代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的單位面積Rds降低了18~60毫歐姆，輸出電容也有所降低。
采用這種技術(shù)，SiC芯片尺寸更小，電流值更高。SiC的采用預(yù)計(jì)將加速直流-直流轉(zhuǎn)換和板載充電、工業(yè)應(yīng)用中的功率因數(shù)校正以及太陽(yáng)能逆變器。韓國(guó)SiC相關(guān)企業(yè)包括rrfic和Metal Life，海外企業(yè)包括Cree、Veeco、STMicroelectronics和Rohm。
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