IGBT模塊的優(yōu)勢和發(fā)展前景
2021年全球壹請仍存在很大變數(shù)的情況下，經(jīng)濟(jì)預(yù)期趨于保守和謹(jǐn)慎，但我們?nèi)匀挥欣碛煽春肐GBT的發(fā)展。IGBTJ是絕緣柵雙極晶體管的簡稱IGBT。是傳統(tǒng)雙極結(jié)晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的交叉，是半導(dǎo)體開關(guān)器件的理想選擇。
IGBT晶體管是這兩種常見晶體管中優(yōu)秀的部分，MOSFET的高輸入阻抗和高開關(guān)速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結(jié)合在一起，生產(chǎn)出另一種晶體管開關(guān)器件，這種器件能夠在幾乎零柵極電流驅(qū)動的情況下處理大的集電極-發(fā)射極電流。
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）結(jié)合了MOSFET的絕緣柵技術(shù)和傳統(tǒng)雙極晶體管的輸出性能特性。這種混合組合的結(jié)果是“IGBT晶體管”具有雙極晶體管的輸出開關(guān)和傳導(dǎo)特性，但像MOSFET一樣受電壓控制。
IGBT主要應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如逆變器、變換器和電源等，但功率雙極性管和功率mosfet并不能完全滿足固態(tài)開關(guān)器件的要求。高電流和高電壓雙極性晶體管是可用的，但它們的開關(guān)速度很慢，而功率mosfet可能有更高的開關(guān)速度，但高電壓和高電流器件昂貴且難以實(shí)現(xiàn)。
與BJT或MOSFET相比，絕緣柵雙極晶體管器件的優(yōu)點(diǎn)在于，它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，并且MOSFET具有更高的電壓操作和更低的輸入損耗。實(shí)際上，它是一個場效應(yīng)管集成了一個雙極晶體管的形式。
隨著電子和半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，IGBT和晶閘管市場正在發(fā)展.IGBT模塊用于電動汽車和混合動力汽車，因為它們需要比傳統(tǒng)工業(yè)應(yīng)用更高的可靠性水平。與其他系統(tǒng)相比，IGBT模塊可靠性的提高是推動IGBT和晶閘管市場增長的主要因素�，F(xiàn)在汽車工業(yè)正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)汽車到電動汽車的重大轉(zhuǎn)變。各國正采取措施增加電動汽車的使用，因為電動汽車的環(huán)保特性可能會刺激IGBT和晶閘管市場。
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