存儲器是利用磁性材料或半導(dǎo)體等作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲的器件，半導(dǎo)體存儲器利用半導(dǎo)體介質(zhì)存儲電荷來實現(xiàn)信息存儲，存儲與讀取過程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。半導(dǎo)體存儲器是集成電路的重要分支之一。
半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)分類
資料來源：共研產(chǎn)業(yè)咨詢（共研網(wǎng)）
2006年中芯國際量產(chǎn)80納米工藝的DRAM后，中國大陸的存儲器企業(yè)如晉華集成、合肥長鑫、等相繼成立，并取得了一系列重要的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從最初的DRAM到現(xiàn)在的3D NAND的演進(jìn)過程，中國大陸存儲器企業(yè)在其中扮演著愈發(fā)重要的角色。
半導(dǎo)體存儲模組發(fā)展歷程
資料來源：共研產(chǎn)業(yè)咨詢（共研網(wǎng)）
2019-2023年，我國半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模由507.47億美元回落至268.8億美元，期間年復(fù)合增長率-14.69%。預(yù)計2024-2028年，半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模由389.3億美元增長至718.72億美元，期間年復(fù)合增長率16.56%。
2019-2028年中國半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模預(yù)測及增速
資料來源：共研產(chǎn)業(yè)咨詢（共研網(wǎng)）
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