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YDD-U-V3-P2-03 變送器寶安區(qū)小學工程

發(fā)布者：facexh001 發(fā)布時間：2024-04-25 17:34:40

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YDD-U-V3-P2-03 變送器寶安區(qū)小學工程中國眾多企業(yè)都在推廣智能家居方案，但總覺得用戶很難接受　為什么呢？市場有一個成熟的時期　一旦成熟，有#會突然爆發(fā)　一旦爆發(fā)，它將更加舒適、安全、高效和便宜　所有的好處都將立即被每個人使用　在智能家居的各種場景中，受歡迎的關鍵應用場景是什么？有兩種場景，一種是點對點控制　
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將動力傳動系統(tǒng)集成到緊湊的機械外殼中，可以生產出更實惠、更高效的電動汽車　憑借其低開關功率損耗，GaN FET可以勝任這個工作　對于EV動力系統(tǒng)而言，GaN FET解決方案將使功率密度加倍，同時通過集成柵極驅動器將尺寸減小約60%，開關速度高達2.2MHz　
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這個諧振電流，iQN(t)是由以下公式給出的　 5 WR6 IGBT（IKWH30N65WR6）和TRENCHSTOP#8482　 IGBT3（IGW30N60H3）在CCM-boost PFC電路中的工作波形，證明了這種現象　IKWH30N65WR6包含一個集成在IGBT芯片中的反向導電的二極管，而后者的IGBT不包含反向導電的二極管　
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YDD-U-V3-P2-03 變送器寶安區(qū)小學工程后者可以包括上述部分或全部附加功能，如圖8電子保險絲框圖所示　此外，IC解決方案體積較小，經過充分特征化的性能更穩(wěn)定，并能以更低的成本做到"安心"實施，這是多器件解決方案無法實現的　值得注意的是，TPS26620規(guī)格書中提供了幾十張性能圖和時序圖，涵蓋了各種工作條件，這些都是分立式"制造"方式難以提供的　

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