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IVP-PM633B 電力儀表共青城醫(yī)院項(xiàng)目

發(fā)布者：facexh001 發(fā)布時(shí)間：2024-04-17 12:14:41

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IVP-PM633B 電力儀表共青城醫(yī)院項(xiàng)目我們通過(guò)示波器看總線波形很#，測(cè)試靜電，EFT，浪涌，傳導(dǎo)騷擾抗擾均無(wú)異�！〉珳y(cè)試傳導(dǎo)發(fā)射，則不能滿足限值要求，看起來(lái)很正常的總線實(shí)際卻向外在發(fā)送傳導(dǎo)干擾　在現(xiàn)有汽車電子CISPR 25標(biāo)準(zhǔn)中，對(duì)傳導(dǎo)騷擾限值有很嚴(yán)格要求　許多CAN收發(fā)器均會(huì)超過(guò)限值　
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具有500 ?的內(nèi)部反饋電阻和約50 ?的輸入電阻使得它看起來(lái)有550 ?　或在本例中，我們假設(shè)一個(gè)50 ?源電阻與100 ?電阻并聯(lián)，得到33 ?　再串聯(lián)20 ?增加到53 ?　這是串聯(lián)了500 ?內(nèi)部反饋電阻或總計(jì)553 ?　也就是形成了500 ?和53 ?的0.525 V電阻分壓器　
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薄膜本身就有要求　隨著晶體管按比例縮小，柵極模塊中的電容耦合會(huì)增加，從而降低整體晶體管的性能　SPARC　碳化物薄膜是電絕緣性能更佳的新型材料的#例子，即所謂的“低k薄膜”，用于大限度地減少這種耦合　現(xiàn)有的低k薄膜通常很脆弱，無(wú)法承受后續(xù)步驟中使用的強(qiáng)烈的化學(xué)物質(zhì)，因而會(huì)導(dǎo)致整體芯片性能不佳　
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開(kāi)放原始碼為企業(yè)應(yīng)用發(fā)展帶來(lái)了靈活與擴(kuò)充性的優(yōu)勢(shì)，然而#對(duì)于開(kāi)放原始碼層層函數(shù)庫(kù)的引用與依賴，亦使其成為駭客#的攻擊溫床，特別是2021年底爆發(fā)Log4j重大安全漏洞問(wèn)題，再度引起企業(yè)對(duì)開(kāi)放原始碼安全性的重視
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IVP-PM633B 電力儀表共青城醫(yī)院項(xiàng)目主要涉及的電磁兼容設(shè)計(jì)有：傳導(dǎo)發(fā)射和浪涌　傳導(dǎo)發(fā)射設(shè)計(jì)一般采用輸入濾波器方式　外部采購(gòu)的濾波器內(nèi)部電路一般采用下列電路： Cx1和Cx2為X電容，防止差模干擾　差模干擾大時(shí)，可增加其值進(jìn)行抑制　Cy1和Cy2為Y電容，防止共模干擾　共模干擾大時(shí)，可增加其值進(jìn)行抑制　

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