表明CVD法制備的硅烷納米線超疏水膜層具有優(yōu)異的環(huán)境耐久性和化學(xué)穩(wěn)定性。硅烷納米線膜層的SEM像硅烷納米線超疏水膜層WC：和S：與暴露時間的關(guān)系Rezaei等采用常溫常壓CVD技術(shù)，在玻璃、硅片和鋁片上成功制得了超疏水膜層。CVD技術(shù)和sol－gel法制備超疏水膜層的超疏水性能的對比研究顯示：CVD法制備膜層的疏水性優(yōu)于sol－gel法。吳俊升等采用CVD技術(shù)改性1h即獲得了液相法改性7d的超疏水性能，膜層的超疏水穩(wěn)定性能更穩(wěn)定，在5％NaCl溶液中浸泡21d時，WC：仍高達135°，且膜層完整。