聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品用途
興城礦用通信電纜MHYSV10*2*0.8本產(chǎn)品適用于以下場合作短距離配線：一級配線、二級配線，并與分線設(shè)備相連;引入建筑物內(nèi)的各分支電纜，即屋內(nèi)配線電纜;沿建筑物墻壁敷設(shè)的電纜，即墻壁配線電纜;架空用配線電纜。
結(jié)構(gòu)型式
1、芯線元件的絕緣厚度：參照GB11327.2-89局用電纜規(guī)定。
2、纜芯組成的絞合形式有：
a.纜芯由若干單位絞合而成，或由若干基本單位直接絞合而成。纜芯的推薦結(jié)構(gòu)見表2。
b.單位由若干基本單位或子單位絞合而成。單位分為兩種：50對單位和100對單位。
c.單位由若干對線組絞合而成�；締挝环譃閮煞N：10對基本單位和25對基本單位。
d.必要時，可將若干對線組絞合成等效于一個基本單位的若干子單位（扎帶（絲）顏色均與所代替的基本單位相同），再將這些子單位絞合成單位或纜芯。
一．興城礦用通信電纜MHYSV10*2*0.8聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP
適用范圍
本產(chǎn)品用于線路的始端和終端，供聯(lián)接市內(nèi)電話電纜至分線箱或配線架之用。也可作短距離布線。
二．興城礦用通信電纜MHYSV10*2*0.8聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP使用特性
電纜使用溫度為-10℃～50℃，電纜安裝敷設(shè)時的環(huán)境溫度應(yīng)不低于0℃。彎曲半徑不小于電纜外徑的10倍。
三．興城礦用通信電纜MHYSV10*2*0.8聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品型號、名稱
聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP
四．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP使用條件：
沿建筑物墻壁敷設(shè)或架空敷設(shè)。
五．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖
1. 對絞絕緣線芯2.聚酯薄膜3.鋁箔4. 銅網(wǎng)屏蔽5.護(hù)套
六．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP規(guī)格范圍
型號：HPVV
導(dǎo)體直徑：0.5
標(biāo)稱對數(shù)：5、10、15、20、25、30、40、50、80、100、150、200
備注：電纜允許增加預(yù)備線對，其數(shù)量不超過電纜標(biāo)稱對數(shù)的1%，其各項(xiàng)要求與一般線對相同。出廠時合格對數(shù)不應(yīng)小于標(biāo)稱對數(shù)。
七．興城礦用通信電纜MHYSV10*2*0.8配線電纜HPVV規(guī)格尺寸及重量
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規(guī)格 |
導(dǎo)體直徑 Mm |
對數(shù) |
電纜計算外徑 Mm |
計算重量 Kg/km |
|
5×2×0.5 |
0.5 |
5 |
8.35 |
78 |
|
10×2×0.5 |
10 |
10.72 |
124 |
|
|
15×2×0.5 |
15 |
12.99 |
188 |
|
|
20×2×0.5 |
20 |
13.54 |
222 |
|
|
25×2×0.5 |
25 |
15.64 |
270 |
|
|
32×2×0.5 |
32 |
16.3 |
320 |
|
|
40×2×0.5 |
40 |
17.18 |
372 |
|
|
50×2×0.5 |
50 |
19.75 |
454 |
|
|
80×2×0.5 |
80 |
24.39 |
715 |
|
|
100×2×0.5 |
100 |
27.28 |
864 |
|
|
150×2×0.5 |
150 |
31.67 |
909 |
|
|
200×2×0.5 |
200 |
35.31 |
1540 |
八．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP主要技術(shù)性能
1.20℃時導(dǎo)線直流電阻不大于95.0Ω/km
2.20℃時絕緣電阻不小于60MΩ﹒km
3.耐壓試驗(yàn)交流電壓500V 50Hz，2min不擊穿。
九．聚氯乙烯絕緣和護(hù)套低頻通信電纜HPVVP交貨規(guī)定：電纜制造長度應(yīng)不小于200m。在雙方同意下允許以任何長度的電纜交貨。
假設(shè)以1ma作為光耦的導(dǎo)通電流，那么在220v交流電由0V變化到141V的過程需要1.5ms。而因?yàn)槠陂g的一致性問題，部分光耦可能會在0.5ma的時候就導(dǎo)通，部分可能在0.7ma的時候?qū)ā，F(xiàn)假設(shè)一致性帶來的導(dǎo)通電流為0.5ma，那么對應(yīng)導(dǎo)通電壓為71V，對應(yīng)滯后零點(diǎn)時間為736us，這表明，不同光耦之間零點(diǎn)差異可能達(dá)到764us。(實(shí)際測試中我檢測了10個樣品，其中兩個光耦導(dǎo)通性能差別的時間差達(dá)到50us，其他普遍在10us左右)。