陶粒是一種輕質(zhì)、多孔、具有一定強度的微細顆粒材料，常用于制造混凝土、陶土制品、填充材料等。在陶粒生產(chǎn)中，原料粉碎是一道重要的工序，將原料進行研磨，使之變成粉末狀，通過陶粒砂磨粉機設備完成。桂林鴻程作為陶粒砂磨粉機生產(chǎn)廠家，今天為您介紹一下陶粒粉磨工藝對陶粒生產(chǎn)的重要性。
粉磨工藝是免燒陶粒的基礎工藝，它奠定了陶粒的質(zhì)量基礎，特別是強度基礎，并為造粒創(chuàng)造了條件。陶粒粉磨工藝對陶粒生產(chǎn)的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個方面：
一、提高廢渣活性，賦予陶粒強度免燒陶粒主要以水泥和活性廢渣為主要強度來源。它的相當部分強度均是由廢渣的活性產(chǎn)生和賦予的，外加極少量的水泥（在蒸壓條件下也可以不加），只是一種補充。因此，廢渣活性的發(fā)揮程度也就決定了陶粒的強度。粉磨就是通過物理手段激發(fā)廢渣的活性，提高它的膠凝性，增加陶粒的強度�；罨瘎⿲儆诨瘜W活化，它必須和物理粉磨活化配合才能更好發(fā)揮作用。二者缺一不可。不經(jīng)過粉磨工藝處理，廢渣活性的發(fā)揮僅為30%～40%，經(jīng)粉磨活化處理后，它的活性發(fā)揮可提高到80%100%。因此，粉磨對陶粒的強度起著關鍵性的作用。那么，粉磨為什么可以提高廢渣的活性？
①打破了活性廢渣特別是粉煤灰堅硬的玻璃體。粉磨使玻璃體產(chǎn)生裂紋、變粗糙或粉碎，使玻璃體內(nèi)封閉的硅鋁成分容易溶出，而活化成分容易進入。這樣硅鋁成分更容易和活化劑接觸，產(chǎn)生反應激發(fā)作用，從而使硅鋁成分更多地轉(zhuǎn)化為硅酸鹽和鋁酸鹽，產(chǎn)生類似水泥的膠凝作用而取代水泥。不經(jīng)粉磨，由于廢渣玻璃體的封閉作用，活化劑不易產(chǎn)生作用，硅鋁成分也難以溶出。
②粉磨后，粒度變得更小，增加了活性廢渣的比表面積，暴露和產(chǎn)生許多新表面，也就增加了活化劑和硅鋁的接觸面積，促進了活化反應。在粉磨之后，一個大顆粒可能會變成幾百個、幾千個甚至幾萬個小顆粒，表面積增加很多倍，活化劑在這些新表面上就可以更多地和活性廢渣反應。另外，顆粒變得越小，從表面到顆粒中心的距離就越短，活化劑就更容易進入廢渣顆粒的內(nèi)部和中心與之反應，反應會進行的更徹底。
③在粉磨過程中，活化劑和廢渣得到更均勻的混合，增加了它們的接觸機會，擴大了它們的接觸面積，也可以促進廢渣的化學活化。
④在粉磨過程中，摩擦熱很高，可使物料溫度升高，使活性
廢渣產(chǎn)生熱激發(fā)作用，也可促使廢渣活化。
二、物料磨細后，造粒質(zhì)量大幅提高粉磨工藝不單單是粉磨廢渣，而是全部物料的混合粉磨。在粉磨以后，廢渣的細度得到大幅提高，變得更細。造粒實踐已經(jīng)證明，物料粉磨越細，造粒質(zhì)量就越高，造粒質(zhì)量越高，陶粒成本就越低，陶�？傮w質(zhì)量也就越好。不經(jīng)粉磨的物料，粒度大，黏結性差，造粒后物料松散，密實度不夠。這就使陶粒球坯的強度很差，在出盤以后的輸送、堆放過程中大量破碎，成品率很低，導致產(chǎn)量下降，陶粒成本上升。粉磨以后，造粒密實，球坯表面光潔美觀，不易破碎，提高了成品率。同時，由于陶粒球坯的初始強度好，也可增加后期強度，并降低陶粒的毛細孔率，也相應降低了吸水率陶粒的抗吸水性得到提。粉磨物料所生產(chǎn)的陶粒和沒粉磨物料所生產(chǎn)的陶粒相比，質(zhì)量相差一個檔次。
綜上所述，粉磨對免燒陶粒的生產(chǎn)，具有決定性的重要意義，絕不可小視。
三、粉磨工藝的技術要求粉磨的目的是讓粒度變小，物料變細。原則上講，物料以細為好，但如果粉磨過細，則會過增加電耗和粉磨人工費用，導致陶粒的成本上升，那也是不合算的。所以，粉磨的細度既要達到使用技術要求，又要不過大增大電耗和其他費用，應適可而止，并非越細越好。具體的粉磨技術要求如下。
①粉磨篩余量粉磨細度假如以篩余量來表征，宜控制在o．08方孔篩，篩余量小于3%;一般水泥的篩余量國標規(guī)定為小于10%，大多數(shù)水泥廠小于8%．少數(shù)廠小于5%。而陶�；旌狭系姆勰ゼ毝雀氁恍瑢儆诟呒毞勰�，宜小于3%為好。如果沒有條件，磨機達不到這個要求，至少應控制在小于8%。
②粉磨比表面積比表面積越大，活化反應就進行的越好。因此，粉磨比表面積應盡量大一些。現(xiàn)在，水泥粉磨的比表面積約為300mz/kg，高細水泥的比表面積約為320～350mz/kg。陶粒混合料的比表面積應相當于高細水泥或者略細于水泥，控制在350～400m2/kgZ好。Z好能有1/4的活性廢渣粉磨細度達到400-600mz/kg，可以采用超細粉磨。
③粉磨粒徑分布粉磨活性廢渣及水泥的粒徑應有合理的級配�；旌衔锪显诜勰ヒ院�，小于60tLm的顆粒應大于70%，10-301um顆粒應大于soH，小于lOUm顆粒應大于30%．小于5μm顆粒應大于10%。
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