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在 DC/DC 混合電路生產(chǎn)各工藝環(huán)節(jié)中會(huì)有不希望出現(xiàn)的物理接觸面狀態(tài)變化、相變等, 對(duì)質(zhì)量帶來(lái)不利影響, 對(duì)其生產(chǎn)中表面狀態(tài)的控制已成為必不可少的關(guān)鍵控制環(huán)節(jié).

某大型工廠在生產(chǎn)過(guò)程中采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 輔助 DC/DC 混合電路生產(chǎn), 其主要目的是：

1. 去除處理物體表面的外來(lái)物層, 如沾污層、氧化層等

2. 改善物體表面狀態(tài), 提高物體表面活性, 提高物體表面能等

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

客戶存在的問(wèn)題:

客戶的背銀芯片很容易發(fā)生銀的硫化及氧化,將直接影響芯片的貼裝質(zhì)量.被硫化或氧化背銀的芯片采用導(dǎo)電膠粘接、氫氣燒結(jié)、再流焊貼裝均將有空洞率增大導(dǎo)致接觸電阻、熱阻增大和粘接強(qiáng)度下降等問(wèn)題.

解決方案:

客戶采用 KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 , 氬氣作為清洗氣體, 清洗時(shí)間200~300 s, 氣體流量40 sccm, 經(jīng)過(guò) KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 產(chǎn)生的離子束清洗芯片背面

運(yùn)行結(jié)果:

1. KRI 考夫曼平行型射頻離子源 RFICP220 有效去除背銀芯片硫化銀及氧化銀, 保證了芯片貼裝質(zhì)量

2. 可有效提高 DC/DC 混合電路組裝質(zhì)量及可靠性

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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