根據(jù)IGBT的等效電路圖可知，若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極G—發(fā)射極E間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
檢測IGBT模塊的的辦法：
以兩單元為例，用模擬萬用表測量，具體如下。
1、靜態(tài)測量
把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,顯示電阻應為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障.
2、動態(tài)測試
把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400毆,把表筆對調(diào)也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的。
用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的。將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極D，紅表筆接IGBT 的源極S，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極G和漏極D，這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極S和柵極G，這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回到無窮處，此時即可判斷IGBT 是好的。
而這里需要注意的是若進第二次測量時，應短接一下源極S和柵極G。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。
