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傳統(tǒng)磁控濺射制備工藝存在一個(gè)突出的問題, 當(dāng)離子能量較低時(shí),在濺射沉積過(guò)程中會(huì)發(fā)生 “遮蔽效應(yīng)”, 會(huì)使薄膜結(jié)構(gòu)疏松, 產(chǎn)生孔隙等缺陷, 這直接影響著薄膜的性能.

為提高制備薄膜的致密度, 減少結(jié)構(gòu)缺陷, 提高耐蝕性能, 國(guó)內(nèi)某光學(xué)薄膜制造商采用伯東 KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP140 用于磁控濺射鍍制 TiN 薄膜.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

客戶采用離子源輔助磁控濺射鍍膜技術(shù)在 304 不銹鋼和 P 型(100)晶向硅片上制備TiN納米薄膜.

推薦理由:

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

運(yùn)行結(jié)果：

1. 通過(guò)KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP140 濺射作用將優(yōu)先形成的遮蔽效應(yīng), 制備的薄膜具有較高致密度.

2. 減少結(jié)構(gòu)缺陷

3. 提高耐蝕性能

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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