| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| 是否無(wú)鉛 |
 不含鉛
|
| 是否Rohs認(rèn)證 |
 符合
|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1080675828 |
| 零件包裝代碼 | BGA |
| 包裝說(shuō)明 | TFBGA, BGA96,9X16,32 |
| 針數(shù) | 96 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| HTS代碼 | 8542.32.00.36 |
| Factory Lead Time | 15 weeks 6 days |
| 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 0.81 |
| Samacsys Description | SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (8x14) |
| Samacsys Manufacturer | Micron |
| Samacsys Modified On | 2022-06-14 06:31:57 |
| YTEOL | 5.1 |
| 訪問(wèn)模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最長(zhǎng)訪問(wèn)時(shí)間 | 0.225 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 時(shí)鐘頻率 (fCLK) | 800 MHz |
| I/O 類型 | COMMON |
| 交錯(cuò)的突發(fā)長(zhǎng)度 | 8 |
| JESD-30 代碼 | R-PBGA-B96 |
| JESD-609代碼 | e1 |
| 長(zhǎng)度 | 14 mm |
| 內(nèi)存密度 | 2147483648 bit |
| 內(nèi)存集成電路類型 | DDR3L DRAM |
| 內(nèi)存寬度 | 16 |
| 功能數(shù)量 | 1 |
| 端口數(shù)量 | 1 |
| 端子數(shù)量 | 96 |
| 字?jǐn)?shù) | 134217728 words |
| 字?jǐn)?shù)代碼 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 工作溫度 | 95 °C |
| 工作溫度 | |
| 組織 | 128MX16 |
| 輸出特性 | 3-STATE |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝代碼 | TFBGA |
| 封裝等效代碼 | BGA96,9X16,32 |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流溫度（攝氏度） | 260 |
| 電源 | 1.35 V |
| 認(rèn)證狀態(tài) | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 連續(xù)突發(fā)長(zhǎng)度 | 8 |
| 待機(jī)電流 | 0.012 A |
| 子類別 | DRAMs |
| 壓擺率 | 0.195 mA |
| 供電電壓 (Vsup) | 1.45 V |
| 最小供電電壓 (Vsup) | 1.283 V |
| 標(biāo)稱供電電壓 (Vsup) | 1.35 V |
| 表面貼裝 | YES |
| 技術(shù) | CMOS |
| 溫度等級(jí) | OTHER |
| 端子面層 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子節(jié)距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 | 30 |
| 寬度 | 8 mm |