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    金龍羽高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽材料的研究進(jìn)展與展望
    發(fā)布者:szjlydl  發(fā)布時(shí)間:2022-07-05 23:14:46

       高壓電纜輸電具有遠(yuǎn)距離、大容量、低損耗的特點(diǎn),是城市輸電、跨江跨河、海上輸電的核心電氣設(shè)備,被譽(yù)為國(guó)民經(jīng)濟(jì)的“血管”。高壓電纜電壓等級(jí)與輸送容量不斷提高,截至2019年,66kV及以上高壓交流電纜在運(yùn)里程已達(dá)到8.6萬km,并以每年7%的增長(zhǎng)率快速發(fā)展;根據(jù)國(guó)家能源規(guī)劃預(yù)測(cè),到2050年我國(guó)全社會(huì)用電量將翻一番,高壓交流電纜運(yùn)行里程將超過20萬km。

    基于直流電纜的柔性直流輸電是新能源發(fā)電規(guī);、跨海互聯(lián)的重要手段。近年來,我國(guó)實(shí)現(xiàn)了高壓直流電纜在電壓等級(jí)上從±160kV至±500kV的跨越發(fā)展,直流電纜輸電工程建設(shè)進(jìn)入快速發(fā)展期。

    半導(dǎo)電屏蔽層作為高壓電纜必不可少的組成部分,通過三層共擠技術(shù)緊密包圍在絕緣層內(nèi)外。內(nèi)、外半導(dǎo)電層分別與電纜導(dǎo)體、金屬屏蔽層形成等電位,使得絕緣與高壓電位、地電位之間形成光滑界面,起到消除金屬導(dǎo)體表面毛刺或凸起、均勻界面電場(chǎng)分布、抑制局部場(chǎng)強(qiáng)過高、防止局部放電的作用。

    半導(dǎo)電屏蔽材料一般由基體樹脂、導(dǎo)電填料、交聯(lián)劑、抗氧劑及其他加工助劑組成,通過擠壓成型制成半導(dǎo)電層。目前,我國(guó)高壓交直流電纜用半導(dǎo)電屏蔽復(fù)合材料長(zhǎng)期依賴國(guó)外進(jìn)口(陶氏化學(xué)和北歐化工等),受制于人,每年進(jìn)口高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽料超1.2萬t,花費(fèi)3~4億元,成為電工材料領(lǐng)域“卡脖子”的關(guān)鍵問題,對(duì)我國(guó)高壓電纜發(fā)展和輸電安全構(gòu)成極大威脅。

    半導(dǎo)電屏蔽層主要指標(biāo)包括表面光滑度、體積電阻率、溫度-電阻系數(shù)以及力學(xué)性能(如抗拉強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率、熱延伸、熱變形)等。相關(guān)國(guó)際、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)規(guī)范對(duì)半導(dǎo)電屏蔽層表面光滑度、體積電阻率提出明確要求,見表1。

    ①表面光滑度:GB/T 18890.1—2015等標(biāo)準(zhǔn)對(duì)110~500kV高壓電力電纜半導(dǎo)電屏蔽層界面提出要求,半導(dǎo)電屏蔽層與絕緣層的界面上應(yīng)無大于0.05mm的微孔和大于0.08mm的突起。

    ②半導(dǎo)電特性:根據(jù)IEC—62067標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電力電纜用半導(dǎo)電屏蔽層的要求,在導(dǎo)體溫度時(shí),老化前后內(nèi)屏蔽層的電阻不得超過1000Ωm,外屏蔽層不得超過500Ωm。JB/T 10738—2007對(duì)35kV及以下電纜半導(dǎo)電屏蔽料在20℃及90℃時(shí)的體積電阻率進(jìn)行了規(guī)定,在20℃時(shí)體積電阻率不高于1Ωm,90℃時(shí)的體積電阻率不高于100Ωm或50Ωm。

    1 導(dǎo)電機(jī)理與PTC效應(yīng)

    半導(dǎo)電屏蔽復(fù)合材料通過在聚合物基體中添加導(dǎo)電炭黑、碳納米管、其他金屬導(dǎo)電填料等獲得半導(dǎo)電特性,其導(dǎo)電性能與導(dǎo)電填料的類型和填充量、聚合物基體類型以及填料在聚合物基體中的分散情況等密切相關(guān)。其導(dǎo)電機(jī)理可分為以下幾種。

    1.1 隧穿理論

    聚合物基體中的導(dǎo)電填料隨機(jī)分散形成分布導(dǎo)電區(qū)域,載流子(包括電子和空穴)在庫(kù)侖力作用下發(fā)生局部遷移。

    當(dāng)導(dǎo)電填料含量較少時(shí),導(dǎo)電填料之間的平均距離較大,載流子難以在填料間發(fā)生連續(xù)定向遷移,導(dǎo)電性能主要受聚合物基體中隧穿效應(yīng)的影響。此時(shí),復(fù)合材料中的載流子通過熱振動(dòng)越過填料間隙的勢(shì)壘躍遷至鄰近導(dǎo)電粒子,從而形成的隧道電流導(dǎo)電。當(dāng)微粒的德布羅意波長(zhǎng)接近量子勢(shì)壘時(shí),載流子將以波動(dòng)行為穿過勢(shì)壘。一般認(rèn)為,當(dāng)局域電場(chǎng)強(qiáng)度大于100MV/m時(shí),且導(dǎo)電粒子(如炭黑)聚集體間距小于等于100(1=10-10m),即會(huì)產(chǎn)生隧穿效應(yīng)。

    1.2 場(chǎng)致發(fā)射理論

    粒子間存在數(shù)納米寬的界面勢(shì)壘,當(dāng)聚合物基體中的導(dǎo)電填料表面場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到107V/cm時(shí),填料中的電子有很大的概率通過界面勢(shì)壘,發(fā)射到與之臨近的導(dǎo)電粒子上,產(chǎn)生場(chǎng)致發(fā)射電流實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電,即出現(xiàn)所謂場(chǎng)致發(fā)射現(xiàn)象。場(chǎng)致發(fā)射理論可認(rèn)為是隧道效應(yīng)的一種特殊形式,局限性較大。

    1.3 逾滲理論

    當(dāng)導(dǎo)電炭黑填充含量達(dá)到一定閾值時(shí),局部的導(dǎo)電填料直接接觸或間距非常小(<1nm)時(shí),可以相互連接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),電子在外電場(chǎng)作用下通過導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)在復(fù)合材料內(nèi)部移動(dòng)形成通道電流。導(dǎo)電填料含量和形貌對(duì)體積電阻率的影響如圖1所示。

    由圖1可知,體積電阻率隨導(dǎo)電填料含量的增加呈指數(shù)型減小,此時(shí),導(dǎo)電填料之間相互接觸,載流子沿逾滲路徑傳輸。而當(dāng)填料為高長(zhǎng)徑比的碳納米管時(shí),導(dǎo)電填料更容易形成逾滲路徑,從而使得逾滲閾值大幅降低。

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