（貴陽(yáng)耐磨地坪金剛砂）生產(chǎn)廠家產(chǎn)地（貴陽(yáng)金剛砂）
碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為常見的一種同質(zhì)異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構(gòu)，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結(jié)構(gòu)如頁(yè)面附圖所示。雖然在異相觸媒擔(dān)體的應(yīng)用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩(wěn)定，且碰撞時(shí)有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達(dá)到的壓力下，它都不會(huì)熔化，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場(chǎng)強(qiáng)度及高電流密度，在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用它來取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強(qiáng)的耦合作用，并其所有之高升華點(diǎn)，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。
物質(zhì)結(jié)構(gòu)
純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專用的碳化硅電爐，其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達(dá)到1450℃時(shí)開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成)，且放出co。然而，≥2600℃時(shí)SiC會(huì)分解，但分解出的si又會(huì)與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電，以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束，再經(jīng)過一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻，然后逐步取出爐料。
在MBR膜污染方面依然有許多科學(xué)和技術(shù)問題尚未得到解決。總體來看，膜污染物來源多(污水、生物大分子、微生物)、形成途徑復(fù)雜(膜截留、生物生成、生物降解等)和膜污染控制方法不成熟、機(jī)理不明確是困擾MBR膜污染識(shí)別、表征及控制的關(guān)鍵。另外，過高的膜投資成本無疑會(huì)限制MBR在污(廢)水處理領(lǐng)域的應(yīng)用。研發(fā)高性能膜材料或采用低成本過濾介質(zhì)有望降低膜的投資成本。然而，如何確保新型膜材料和低成本過濾介質(zhì)的穩(wěn)定運(yùn)行值得探究。
在許多情況下，紫光和紫外線的高能光子攜帶的能量要多于形成電流所需的能量。但是這些額外的能量都以熱量的形式損失了。幾年前，來自多個(gè)研究小組的科學(xué)家報(bào)告說，陽(yáng)光中的高能光子實(shí)際上能夠激發(fā)不止一個(gè)電子，前提是它們所碰到的半導(dǎo)體由一種名為量子點(diǎn)的納米級(jí)微粒構(gòu)成。這一過程被稱為多重激子發(fā)生（MEG）為研究人員通過收集這些額外的電荷從而改進(jìn)太陽(yáng)能電池的效率帶來了希望。然而制造能夠工作的MEG太陽(yáng)能電池卻不是一件容易事。
據(jù)Curtis統(tǒng)計(jì)，吸附態(tài)頁(yè)巖氣含量占頁(yè)巖氣總含量的29／6～85。其中，F(xiàn)ortWorth盆地密西西比亞系Barnett組頁(yè)巖的吸附態(tài)頁(yè)巖氣占原始頁(yè)巖氣總量的2，是所占比例少的，隨著實(shí)驗(yàn)研究和開發(fā)的深入，發(fā)現(xiàn)2的評(píng)估值明顯偏低。通過總結(jié)Mavor、李新景、聶海寬等對(duì)Barnett頁(yè)巖中吸附態(tài)頁(yè)巖氣的研究，得出吸附態(tài)頁(yè)巖氣含量至少占頁(yè)巖氣總含量的4%。游離態(tài)頁(yè)巖氣主要儲(chǔ)存于巖石孔隙與裂隙中，其含量的高低與構(gòu)造保存條件密切相關(guān)。