按質(zhì)量計(jì)算，在SnO2中加入3~5%的th2、5%的Sm2，在600℃的H2氣氛下燒結(jié)制成厚膜器件，工作溫度為400℃。 一種CO檢測裝置。 上圖右圖為燒結(jié)溫度為600℃時(shí)氣體感應(yīng)元件的特性。 在工作溫度為170~200℃范圍內(nèi)，對(duì)H2的靈敏度曲線描繪拋物線，但可知CO對(duì)改變工作溫度沒有什么影響利用器件這一特性可以檢測H2。而燒結(jié)溫度為400℃制成的器件，工作溫度為200℃時(shí)，對(duì)H2、CO的靈敏度曲線形狀都近似呈直線，但對(duì)CO的靈敏度要高得多，可以制成對(duì)CO敏感的氣體傳感器。
4 .穩(wěn)定性的實(shí)際應(yīng)用中，UT具有隨時(shí)間漂移的特性，因此通過在HCl氣氛中生長SiO2絕緣層，能夠顯著改善UT的漂移。 氫以外的氣體不能通過鈀柵。 制作其他氣體的Pd—MOSFET氣體傳感器采取了一定的對(duì)策，制作CO敏MOSFET時(shí)如果在鈀柵上制作約20nm的小孔，則允許CO氣體通過。 再見于Pd—MOSFET對(duì)氫氣有較高的靈敏度，而對(duì)CO的靈敏度卻較低，為此可在鈀柵上蒸發(fā)一層厚約20nm的鋁作保護(hù)層，阻止氫氣通過。鈀對(duì)氨氣分解反應(yīng)的催化作用較弱，為此，要先在SiO2絕緣層上沉淀一層活性金屬，如Pt、Ir、La等。再制作鈀柵，可制成氨氣敏MOSFET。
固定不動(dòng)PO2(1)事實(shí)上是(-)極產(chǎn)生一個(gè)電位差固定不動(dòng)的電級(jí)，即參比電極，有汽體參比電極和并存相參比電極二種。汽體參比電極能夠 是氣體或別的混合氣，如：H2一H2O，CO一CO2也可以產(chǎn)生固定不動(dòng)的PO2(1)。并存相參比電極就是指金屬材料-氫氧化物、廉價(jià)氫氧化物-天價(jià)氫氧化物的混和粉末狀(固相)，這種化合物與氧氣(氣相)混合發(fā)生氧化反應(yīng)能形成同定的氧壓，因此也能作為參比電極。