氣體傳感器說(shuō)明

在SnO2材料內(nèi)摻雜是改善傳感器性，添加Pt、Pd、Ir等貴金屬不僅能有效地提高元件靈敏度和響應(yīng)時(shí)間，而且，催化劑不同，導(dǎo)致不同吸附傾向，從而改善性。例如在SnO2氣敏材料中摻雜貴金屬Pt、Pd、Au提高對(duì)CH4靈敏度，摻雜Ir可降低對(duì)CH4靈敏度，摻雜Pt、Au提高對(duì)H2靈敏度，摻雜Pd降低對(duì)H2靈敏度。

氣體傳感器規(guī)格

非電阻型也是一類較為常見半導(dǎo)體氣敏器件，這類器件方便，無(wú)需設(shè)置溫度，易于集成化，得到廣泛。有結(jié)型和MOSFET型兩種。

結(jié)型氣敏傳感器件又稱氣敏二極管，這類氣敏器件是利用氣體改變二極管整流特性來(lái)。其如下左所示。它是：貴金屬Pd對(duì)氫氣具有性，它與半導(dǎo)體接觸形成接觸勢(shì)壘。當(dāng)二極管加正向偏壓時(shí)，從半導(dǎo)體流向金屬電子將增加，因此正向是導(dǎo)通。

氣體傳感器類型

氣敏二極管特性曲線左移看作二極管導(dǎo)通電壓發(fā)生改變，這一特性如果發(fā)生在場(chǎng)效應(yīng)管柵極，將使場(chǎng)效應(yīng)管閾值電壓UT改變。利用這一制成MOSFET型氣敏器件。

氫氣敏MOSFET是典型氣敏器件，它用金屬鈀Pd制成鈀柵。在含有氫氣氣氛中，由于鈀催化，氫氣分子成氫原子擴(kuò)散到鈀與二氧化硅界面，終導(dǎo)致MOSFET閾值電壓UT發(fā)生變化。時(shí)常將柵漏短接，保證MOSFET在飽和區(qū)，此時(shí)漏極電流ID=βUGS—UT2，利用這一電路測(cè)出氫氣濃度。

版權(quán)聲明：PLC信息網(wǎng)轉(zhuǎn)載作品均注明出處，本網(wǎng)未注明出處和轉(zhuǎn)載的，是出于傳遞更多信息之目的，并不意味著贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性。如轉(zhuǎn)載作品侵犯作者署名權(quán)，或有其他諸如版權(quán)、肖像權(quán)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等方面的傷害，并非本網(wǎng)故意為之，在接到相關(guān)權(quán)利人通知后將立即加以更正。聯(lián)系電話：0571－87774297。

粗大浓稠硕大噗嗤噗嗤h,精品人妻码一区二区三区,国产av无码专区亚洲精品,日韩a片无码毛片免费看小说

氣體傳感器說(shuō)明

氣體傳感器規(guī)格

氣體傳感器類型