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PLC企業(yè)資訊
    1206貼片電容供應(yīng)
    發(fā)布者:ysundz  發(fā)布時(shí)間:2019-11-12 12:29:14

    貼片式電容有著貼片式陶瓷電容、貼片式鉭電容、貼片式鋁電解電容。貼片式陶瓷電容無(wú)極性,容量也很。PF級(jí)),一般可以耐很高的溫度和電壓,常用于高頻濾波。陶瓷電容看起來(lái)有點(diǎn)像貼片電阻(因此有時(shí)候我們也稱(chēng)之為“貼片電容”),但貼片電容上沒(méi)有印有代表容量大小的數(shù)字。

     

     

     

     

    貼片式鉭電容的特點(diǎn)是壽命長(zhǎng)、耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻改波性能極好,不過(guò)容量較小、價(jià)格也比鋁電容貴,而且耐電壓及電流能力相對(duì)較弱。它被應(yīng)用于小容量的低頻濾波電路中。 

     

     

     

     

    貼片鉭電容與陶瓷電容相比,其表面均有電容容量和耐壓標(biāo)識(shí),其表面顏色通常有黃色和黑色兩種。譬如100-16即表示容量100μF,耐壓16V。

     

     

     

     

    貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量,其多見(jiàn)于顯卡上,容量在300μF~1500μF之間,其主要是滿(mǎn)足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。

    1、測(cè)試條件對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響

        首先考慮測(cè)量條件的問(wèn)題,對(duì)于不同容值的貼片電容會(huì)采用不同的測(cè)試條件來(lái)測(cè)量容值,主要在測(cè)試電壓的設(shè)定和測(cè)試頻率的設(shè)定上有區(qū)別,下表所示為不同容值的量測(cè)條件:

     

     

    電容

     

    AC 電壓

     

    頻率

     

     

     

     

    容量>10μF

     

    1.0± 0.2Vrms

     

    120Hz

     

     

     

     

    1000pF<容量≦10μF

     

    1.0± 0.2Vrms

     

    1kHz

     

     

     

     

    容量1000pF

     

    1.0± 0.2Vrms

     

    1MHz

     

     

     

     

     

    2、測(cè)量?jī)x器的差異對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

         大容量的電容(通常指1UF以上)測(cè)量時(shí)更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象,造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電容兩端的實(shí)際電壓不能達(dá)到測(cè)試條件所需求的電壓,這是因?yàn)榧釉陔娙輧啥说臏y(cè)試電壓由于儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實(shí)際顯示的設(shè)定電壓不一致。為了使測(cè)量結(jié)果誤差降到最低,我們建議將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實(shí)際加在電容兩端所測(cè)的電壓盡量調(diào)整,使實(shí)際于待測(cè)電容上輸?shù)某鲭妷阂恢隆?/span>

     

    注意: 上表中所示的電壓是指實(shí)際加在測(cè)試電容兩端的有效電壓(理想電壓)。

    由于測(cè)試儀器的原因,加在電容兩端實(shí)際的輸出電壓與設(shè)定的測(cè)量電壓(理想電壓)實(shí)際上可能會(huì)有所出入。

     

    3、影響高容量電容容值測(cè)量偏低的因素

     

    1) 測(cè)試儀器內(nèi)部的阻抗之大小影響.

       由于不同的測(cè)試儀器之間的內(nèi)部阻抗都不同,造成儀器將總電壓分壓而使加在測(cè)試電容兩端的實(shí)際電壓變小。在實(shí)際的測(cè)試過(guò)程中,我們有必要先使用萬(wàn)用表等工具測(cè)試夾具兩端的實(shí)際電壓,以確定加在測(cè)試貼片電容兩端的輸出電壓。

     

     

    2)不同阻抗的測(cè)試儀器的輸出電壓對(duì)比如下:

    儀器內(nèi)阻100Ω

    1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V

    10uF測(cè)試電容的兩端電壓 :

     首先是陶瓷本體問(wèn)題-斷裂或微裂,這是最常見(jiàn)的問(wèn)題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯,而微裂一般出在內(nèi)部,不容易觀察到,涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過(guò)程中的機(jī)械、熱應(yīng)力等作用因素影響。  

     

          

     

      其次是片狀電容電性能問(wèn)題。片狀電容使用一段時(shí)間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。  

     

         

     

     

     

      以上兩個(gè)問(wèn)題往往同時(shí)產(chǎn)生,互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項(xiàng)重要的參數(shù),衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大,片狀電容儲(chǔ)存不了電量,片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效,引發(fā)了對(duì)片狀電容可靠性問(wèn)題的爭(zhēng)論。

     

      

     

     

     

    可靠性問(wèn)題:片狀電容失效分為三個(gè)階段:   

     

      第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過(guò)程的失效,這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過(guò)程中,第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時(shí),有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率;第三道工序絲印時(shí)內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵,否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力,燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序,燒結(jié)不良可以直接影響到電性能,且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時(shí)收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋,這些微裂紋對(duì)一般電性能不會(huì)產(chǎn)生影響,但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降,漏電。

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